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产品分类
产品简介
SiC晶体的切片方法有：砂浆线切割、金刚线切割，以及激光隐切。其中，激光隐切技术将高能量脉冲激光束聚焦在SiC晶体内部，在设定深度处形成微小裂纹，然后通过面内扫描形成一个裂纹层，*后沿着该裂纹层剥离出晶片。与传统线切割方法相比，激光隐切具有剥离速度快，切割损耗低，可切割超薄晶片，以及切割成本低等优点。随着SiC晶锭尺寸变大，尤其是8寸和12寸，激光隐切技术在SiC晶片加工中的优势更为明显。
空间光调制算法
任意加工深度的球差矫正；
可多束分光；
兼容SiC/GaN/Ga2O3/金刚石等多种材料
超快激光与光路
稳定可靠的光路结构；
7×24小时连续工作；
有效的温漂抑制与补偿
复合运动平台
可重复定位精度 < 1μm；
实时高度补偿；
融合激光控制与光谱成像
参数表
| 分类 | 项目 | 参数 | |
|---|---|---|---|
| 外观 | 主机尺寸 | 1500(L) X 1300(W) X 1800(H) | |
| 整机重量 | ~1.2T | ||
| 基本参数与控制方法 | 可加工尺寸 | 12寸 / 8寸 / 6寸 | |
| 激光功率 | 0.5~50W | ||
| 脉冲激光器寿命 | 20000小时（正常工作时间） | ||
| X/Y/Z轴行程 | 350mm/400mm/45mm | ||
| Y轴速度、加速度 | 500mm/s / 4000mm/s² | ||
| 单片扫描时间 | 21min (6寸)；33min(8寸)；47min(12寸) | ||
| 测高精度 | 0.7μm | ||
| 聚焦深度控制 | 表面预扫描，加工时动态调整聚焦深度 | ||
| 球差矫正深度 | 300μm / 350μm / 400μm / 450μm / 500μm / 550μm | ||
| “小面”加工 | “小面” 光谱成像，自动分区差异化加工 | ||
| 晶体损耗 | 晶锭侧+晶片侧，总损耗厚度<100μm | ||
| 厂务要求 | 总电源 | 220V，5kW，50Hz | |
| 冷却水 | 压力：~0.1MPa；流量：~7L/min；温度：18~25℃ | ||
| 压缩空气 | 压力：>0.45MPa；流量：<0.1L/min | ||
选型
| 型号 | 可加工尺寸 | 价格（含税） | 货期 |
|---|---|---|---|
| L08 | 8寸/6寸/4寸 | 196万 | 1周 |
| L12 | 12寸/8寸 | 199万 | 4周 |
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